Photoelectric Detectors Based on Inorganic p‐Type Semiconductor Materials

光电探测器 光探测 半导体 材料科学 光电效应 异质结 光电子学 纳米技术 半导体材料 工程物理 物理
作者
Feng Teng,Kai Hu,Weixin Ouyang,Xiaosheng Fang
出处
期刊:Advanced Materials [Wiley]
卷期号:30 (35) 被引量:375
标识
DOI:10.1002/adma.201706262
摘要

Photoelectric detectors are the central part of modern photodetection systems with numerous commercial and scientific applications. p-Type semiconductor materials play important roles in optoelectronic devices. Photodetectors based on p-type semiconductor materials have attracted a great deal of attention in recent years because of their unique properties. Here, a comprehensive summary of the recent progress mainly on photodetectors based on inorganic p-type semiconductor materials is presented. Various structures, including photoconductors, phototransistors, homojunctions, heterojunctions, p-i-n junctions, and metal-semiconductor junctions of photodetectors based on inorganic p-type semiconductor materials, are discussed and summarized. Perspectives and an outlook, highlighting the promising future directions of this research field, are also given.
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