Strain evaluation of strained-Si layers on SiGe by the nano-beam electron diffraction (NBD) method

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作者
Koji Usuda,Toshinori Numata,Shinichi Takagi
出处
期刊:Materials Science in Semiconductor Processing [Elsevier]
卷期号:8 (1-3): 155-159 被引量:33
标识
DOI:10.1016/j.mssp.2004.09.105
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