Polarization-insensitive and high-efficiency edge coupler for thin-film lithium niobate

铌酸锂 材料科学 极化(电化学) 光电子学 GSM演进的增强数据速率 薄膜 光学 化学 物理 电信 纳米技术 计算机科学 物理化学
作者
Zehao Guo,Weixi Liu,Chuanjing Wen,Lijia Song,Liu Liu,Daoxin Dai,Yaocheng Shi
出处
期刊:Optics Letters [The Optical Society]
卷期号:49 (10): 2537-2537
标识
DOI:10.1364/ol.520812
摘要

In this Letter, we propose and demonstrate a fiber-to-chip edge coupler (EC) on an x-cut thin film lithium niobate (TFLN) for polarization-insensitive (PI) coupling. The EC consists of three width-tapered full-etched waveguides with silica cladding and matches well with a single-mode fiber (SMF). The measured results show that the minimum coupling losses for TE 0 /TM 0 modes remain to be 0.9 dB/1.1 dB per facet, and the polarization dependent loss (PDL) is <0.5 dB over the wavelength range from 1260 to 1340 nm. Moreover, the EC features large misalignment tolerance of ±2 µm in the Z direction and ±1.5 µm in the X direction for both polarizations for a 1 dB penalty. To the best of our knowledge, this is the first realized O-band edge coupler on TFLN with SMF. The proposed device shows promising potential for integration into TFLN polarization diversity devices.
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