Emerging non-CMOS devices and technologies

CMOS芯片 晶体管 缩放比例 纳米技术 纳米电子学 电子工程 材料科学 电气工程 计算机科学 工程类 电压 数学 几何学
作者
Arighna Basak,Writam Banerjee,Avtar Singh,Avik Chakraborty,Manash Chanda
出处
期刊:Elsevier eBooks [Elsevier]
卷期号:: 263-303
标识
DOI:10.1016/b978-0-323-91832-9.00014-2
摘要

Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) transistors have already reached their fundamental scaling limits and, therefore, it is difficult to scale them further, primarily due to the challenges concerning various quantum mechanical effects. This chapter aims to provide a detailed analysis and comparison of different emerging non-CMOS nano-electronic devices that could potentially help address the CMOS scaling problem. Emerging nanodevices are classified according to their physical phenomenon, finding applications in electrical, magnetic, mechanical, or charge-based nanodevices. Different classes of emerging non-CMOS nanoscale devices that expand beyond the present CMOS scaling limits are presented with their structure, advantages, disadvantages, and potential applications.
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