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A Sub-1 ppm/°C TC Bandgap Voltage Reference with High Power Supply Rejection

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作者
Jiapeng Shen,Shengxi Diao
标识
DOI:10.1109/cisp-bmei56279.2022.9980043
摘要

In this paper, a bandgap voltage reference (BGR) with low temperature coefficient (TC) and high power supply rejection (PSR) is proposed. To obtain a low TC, an exponential compensation circuit is inserted to the BGR, which calibrate the high-order temperature coefficient of the base-emitter voltage $V_{BE}$ in bipolar transistor. A PSR enhancement stage is inserted to suppress supply noise. In the post-layout simulation, TC is 0.2 ppm/°C over −55°C to 125 °C and the PSR is −71.4dB@100KHz and −70.2dB@1MHz. Fabricated in 0.18um BiCMOS technology, the proposed bandgap voltage reference obtain an active area of 125um x 83um.
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