Ni2CoS4@(NiCo)Se2 bimetallic selenides with core–shell heterostructure in-situ generated on Ni2CoS4 nanorods arrays for high performance supercapacitors

超级电容器 双金属片 材料科学 原位 纳米棒 异质结 电极 芯(光纤) 纳米技术 电化学 光电子学 冶金 化学 复合材料 金属 有机化学 物理化学
作者
Lejiao Duan,Hucheng Fu,Hanwen Guo,Huiru Sun,Quan Zhang,Jiangtao Xu,Jingquan Liu
出处
期刊:Applied Surface Science [Elsevier]
卷期号:648: 158966-158966 被引量:9
标识
DOI:10.1016/j.apsusc.2023.158966
摘要

In this paper, Ni2CoS4@(NiCo)Se2/NF core–shell structural nanocomposites are successfully prepared on nickel foam (NF) substrates through a convenient hydrothermal method and tube furnace calcination. Firstly, NiCo2O4/NF is acquired by a one-step simple hydrothermal method and one-step tube furnace calcination, then it is sulfidated via a one-step hydrothermal method, and finally selenized by stirring to obtain Ni2CoS4@(NiCo)Se2/NF. The results show that in the three-electrode test, the specific capacitance of the Ni2CoS4@(NiCo)Se2 electrode is able to reach 6054 mF·cm−2 at a current density of 10 mA·cm−2. The excellent performance of Ni2CoS4@(NiCo)Se2/NF nanocomposites is supposed to give rise to the bimetallic synergistic effect, as well as the unique core–shell structure of its surface-loaded nanosheets. In addition, all-solid-state asymmetric supercapacitors (ASCs) are composed of activated carbon (AC) as the anode and Ni2CoS4@(NiCo)Se2/NF as the cathode. The prepared Ni2CoS4@(NiCo)Se2/NF//AC ASC devices reach an energy density of 53 Wh kg−1 at a power density of 480 W kg−1. Simultaneously, Ni2CoS4@(NiCo)Se2/NF//AC ASC device has an excellent specific capacitance of 149.06F g−1 at a current density of 0.6 A/g and a capacitance retention rate of 84.0 % after 10,000 electrochemical cycles, which proves its good cycling stability. Impressively, two Ni2CoS4@(NiCo)Se2/NF//AC ASC devices connected in series can light up a 2.5 V LED lamp and continue to illuminate it for 11 min. Our results show that Ni2CoS4@(NiCo)Se2/NF nanocomposites with core–shell structures have great application potential in energy storage devices.
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