锗
兴奋剂
带隙
材料科学
空格(标点符号)
光电子学
凝聚态物理
物理
计算机科学
硅
操作系统
作者
Pingping Sun,Shuai Yuan,Weijie Chi,Guilong Cai
摘要
The pivotal role of Ge doping is found in finely adjusting the bandgap, enhancing carrier mobility, and improving optical-electronic properties and photovoltaic response.
科研通智能强力驱动
Strongly Powered by AbleSci AI