Interfacial charge transfer exciton enhanced by plasmon in 2D in-plane lateral and van der Waals heterostructures

激子 范德瓦尔斯力 异质结 等离子体子 凝聚态物理 材料科学 电荷(物理) 联轴节(管道) 物理 分子物理学 光电子学 量子力学 分子 冶金
作者
Xijiao Mu,Mengtao Sun
出处
期刊:Applied Physics Letters [American Institute of Physics]
卷期号:117 (9) 被引量:96
标识
DOI:10.1063/5.0018854
摘要

The multi-scale computational method of combining the first-principles calculation and finite element electromagnetic simulations is used to study the plasmon-enhanced interlayer charge transfer (CT) exciton of 2D lateral and van der Waals MoS2/WS2 heterostructures with the 2H phase. The weak interlayer CT excitons are observed in the 2H lateral and van der Waals MoS2/WS2 heterostructures. Theoretical results reveal the physical principle of plexcitons resulting from the strong coupling between plasmons and interlayer CT excitons. The weak CT excitons can be strongly enhanced by a metal plasmon, which provides a way to observe the weak CT excitons. Our results can promote a deeper understanding of the plexciton resulting from strong coupling interaction between the plasmon and the exciton of lateral and van der Waals heterostructures.
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