Suppression of Drain-Bias-Induced $\textit{V}_{\text{TH}}$ Instability in Schottky-Type p-GaN Gate HEMTs With Voltage Seatbelt

不稳定性 肖特基二极管 光电子学 电压 电气工程 物理 宽禁带半导体 凝聚态物理 氮化镓 高电子迁移率晶体管 材料科学 晶体管 工程类 纳米技术 量子力学 二极管 图层(电子)
作者
Junting Chen,Haohao Chen,Yan Cheng,Jiongchong Fang,Zheng Wu,Junqiang Li,Jinjin Tang,Guosong Zeng,Kevin J. Chen,Mengyuan Hua
出处
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:: 1-6
标识
DOI:10.1109/ted.2025.3534168

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