Dirac Semimetal Heterostructures: 3D Cd3As2 on 2D Graphene

石墨烯 半金属 材料科学 自旋电子学 凝聚态物理 异质结 Dirac(视频压缩格式) 费米能级 拓扑绝缘体 范德瓦尔斯力 纳米技术 物理 量子力学 铁磁性 电子 带隙 分子 中微子
作者
Yan‐Fei Wu,Liang Zhang,Cai‐Zhen Li,Zhen‐Sheng Zhang,Song Liu,Zhi‐Min Liao,Dapeng Yu
出处
期刊:Advanced Materials [Wiley]
卷期号:30 (34) 被引量:35
标识
DOI:10.1002/adma.201707547
摘要

Abstract Dirac semimetal is an emerging class of quantum matters, ranging from 2D category, such as, graphene and surface states of topological insulator to 3D category, for instance, Cd 3 As 2 and Na 3 Bi. As 3D Dirac semimetals typically possess Fermi‐arc surface states, the 2D–3D Dirac van der Waals heterostructures should be promising for future electronics. Here, graphene–Cd 3 As 2 heterostructures are fabricated through direct layer‐by‐layer stacking. The electronic coupling results in a notable interlayer charge transfer, which enables us to modulate the Fermi level of graphene through Cd 3 As 2 . A planar graphene p–n–p junction is achieved by selective modification, which demonstrates quantized conductance plateaus. Moreover, compared with the bare graphene device, the graphene–Cd 3 As 2 hybrid device presents large nonlocal signals near the Dirac point due to the charge transfer from the spin‐polarized surface states in the adjacent Cd 3 As 2 . The results enrich the family of van der Waals heterostructure and should inspire more studies on the application of Dirac/Weyl semimetals in spintronics.
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