반도체 소자공정에서 균일한 두께의 금속박막을 증착하는 것은 매우 중요하다. 기존의 기판고정식 sputtering 장비로 증착한 indium tin oxide(ITO)박막의 두께 균일도가 ±4%~±5% 정도로 중앙부분이 더 두껍다. 방전전극 구조물을 설계하고 제작하여 sputtering되는 물질의 방향을 조절하였다. 개량된 sputtering gun을 사용하여 기판고정식 sputtering 장비에서 4 wafer 내에서 ±0.8~1.3% 정도로 두께 균일도를 증가시켰다. wafer to wafer에서는 ±5.3%에서 ±1.5% 로 두께 균일도가 향상되었다. Al박막의 경우 ±1.0% 이내의 두께 균일도를 얻을 수 있었다.