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Termination-dependent electronic and magnetic properties of ultrathinSrRuO3(111) films onSrTiO3

计算机科学 材料科学
作者
Bongjae Kim,B. I. Min
出处
期刊:Physical Review B [American Physical Society]
卷期号:89 (19) 被引量:16
标识
DOI:10.1103/physrevb.89.195411
摘要

We have investigated electronic and magnetic properties of ultrathin ${\mathrm{SrRuO}}_{3}$ (SRO) films grown on (111) ${\mathrm{SrTiO}}_{3}$ substrates using the ab initio electronic structure calculations. Ru-terminated SRO (111) films suffer from strong surface atomic relaxations, while ${\mathrm{SrO}}_{3}$-terminated ones preserve the surface structure of ideal perovskites. Both Ru- and ${\mathrm{SrO}}_{3}$-terminated SRO (111) films show unexpected interlayer antiferromagnetic (AFM) structures at the surface, but with different characters and mechanisms. The AFM structure for the former results from the large surface atomic relaxation, whereas that for the latter results from the truncated film effect. Interestingly, for the ${\mathrm{SrO}}_{3}$-termination case, the half-metallic nature emerges despite the interlayer AFM structure. Upon reducing the thickness, the collapsing behavior of magnetic anisotropy from out-of-plane to in-plane easy axis is found to occur for the Ru-termination case, which, however, does not pertain to the ${\mathrm{SrO}}_{3}$-termination case.
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