辐照
二极管
材料科学
失效机理
失效模式及影响分析
碳化硅
重离子
光电子学
功率（物理）
离子
电气工程
电子工程
工程类
化学
物理
核物理学
复合材料
热力学
有机化学
标识
DOI：10.1109/icreed59404.2023.10390869
摘要
Radiation-induced degradations of SiC power JBS diodes and MOSFETs are investigated by 181 Ta ion irradiation. The failure mode characteristics and failure mechanism of SiC devices are studied through failure analysis techniques and TCAD simulations.
科研通智能强力驱动
Strongly Powered by AbleSci AI
爱静静
不倦
眯眯眼的衬衫
不配.
炜大的我
嗯哼
嘉心糖
sissiarno
lizigongzhu
andrele
jyy
cdercder
oydent
有哪些并发症
小团团
冷艳贞
cocolu
Jasper
劲秉
Hayat
皖公网安备34019202002308
