High Performance CMOS Voltage Level Shifters Design for Low Voltage Applications

逻辑电平 CMOS芯片 电子工程 传播延迟 阈下传导 过驱动电压 电压 二极管或电路 电气工程 逻辑门 计算机科学 工程类 阈值电压 低压 集成注入逻辑 电路设计 电子线路 数字电子学 通流晶体管逻辑 晶体管 离散电路
作者
A.K. Kapoor,Chaitanya Shanker Jha,Ayush Thapar,Chaudhry Indra Kumar
标识
DOI:10.1109/iconat57137.2023.10079972
摘要

To convert signals from one logic level or voltage level to another, a level shifter circuit is used in analog and digital integrated circuits (IC’s). It is also known as a voltage level translator or a logic-level shifter. An integrated circuit voltage level changer allows for compatibility across integrated circuits with various voltage needs. In this work, a voltage level shifter that efficiently converts voltage from the subthreshold area to the super-threshold region while reducing propagation latency is introduced. The proposed circuit improves power efficiency and delays by employing a low voltage converter, one Pull Down and one Pull Up CMOS network. We simulate the proposed design in 45nm, 65nm, 90nm and 180nm CMOS technologies. The simulated result shows that, by employing the proposed level shifter an improvement of 69.12% in propagation delay is observed as compared to recent designs in 90nm CMOS technology. In 45nm technology our design improves the propagation delay 67.07% compared to existing designs. In corner analysis the proposed technique gives better result as compared to the recently reported techniques.
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