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作者
Yikai Liao,
You Jin Kim,
Shu An,
Munho Kim
出处
期刊：
Journal of Materials Chemistry C
[The Royal Society of Chemistry]
日期：2023-01-01
卷期号：11 (40): 13707-13713
被引量：2
链接
rsc.org
handle.net
doi.org
标识
DOI：10.1039/d3tc02731g
摘要
Gallium nitride (GaN) is a third-generation wide bandgap semiconductor well-suited for power electronics and ultraviolet optoelectronics.
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