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作者
С. Н. Аболмасов,А. Абрамов,V. N. Verbitskii,G. G. Shelopin,А. В. Кочергин,Е. И. Теруков
出处
期刊:Semiconductors
[Pleiades Publishing]
日期:2023-10-01
卷期号:57 (10): 431-439
标识
DOI:10.1134/s1063782623090014
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