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MoS2-Based Optoelectronic Gas Sensor with Sub-parts-per-billion Limit of NO2 Gas Detection

光电流 每个符号的零件数 暗电流 电极 工作职能 分析化学(期刊) 石墨烯 光电子学 材料科学 检出限 灵敏度(控制系统) 化学气相沉积 电阻和电导 带隙 光电探测器 图层(电子) 纳米技术 化学 电子工程 色谱法 工程类 物理化学 复合材料 有机化学
作者
Tung Pham,Guanghui Li,Elena Bekyarova,Mikhail E. Itkis,Ashok Mulchandani
出处
期刊:ACS Nano [American Chemical Society]
卷期号:13 (3): 3196-3205 被引量:513
标识
DOI:10.1021/acsnano.8b08778
摘要

Red light illumination with photon energy matching the direct band gap of chemical vapor deposition grown single-layer MoS2 with Au metal electrodes was used to induce a photocurrent which was employed instead of dark current for NO2 gas sensing. The resulting Au/MoS2/Au optoelectronic gas sensor showed a significant enhancement of the device sensitivity S toward ppb level of NO2 gas exposure reaching S = 4.9%/ppb (4900%/ppm), where S is a slope of dependence of relative change of the sensor resistance on NO2 concentration. Further optimization of the MoS2-based optoelectronic gas sensor by using graphene (Gr) with a work function lower than that of Au for the electrical contacts to the MoS2 channel allowed an increase of photocurrent. The limit of detection of NO2 gas at the level of 0.1 ppb was obtained for the MoS2 channel with graphene electrodes coated by Au. This value was calculated using experimentally obtained sensitivity and noise values and exceeds the U.S. Environment Protection Agency requirement for NO2 gas detection at ppb level.
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