An Accurate Low-Power Power-on-Reset Circuit in 55-nm CMOS Technology

重置(财务) NMOS逻辑 电气工程 比较器 晶体管 功率(物理) CMOS芯片 施密特触发器 电子工程 电压 工程类 计算机科学 物理 量子力学 金融经济学 经济
作者
Heng You,Jia Yuan,Zenghui Yu,Shushan Qiao
出处
期刊:IEEE Transactions on Circuits and Systems Ii-express Briefs [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:69 (8): 3361-3365 被引量:5
标识
DOI:10.1109/tcsii.2022.3164454
摘要

In this brief, an accurate low-power power-on-reset circuit is proposed. In order to get an accurate trip-voltage with little overhead, a low-power architecture based on current reference and current comparator is proposed. The reference current in the proposed power-on-reset circuit is mainly provided by the sub-threshold current of several native NMOS transistors, and a stable hysteresis window can be obtained by adjusting the number of enabled native NMOS transistors. Measurement results based on 55nm CMOS process show that the proposed power-on-reset circuit consumes only 32nW at the supply voltage of 0.5V. The measured power-on-reset trip-voltage is 0.45V with a temperature coefficient of $227~\mu \text{V}/^{\circ }\text{C}$ . Since the proposed power-on reset circuit consists of only 10 transistors, the area of the proposed power-on-reset circuit is as low as $67.5~\mu \text{m}^{2}$ .
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