A direct comparison of CVD-grown and exfoliated MoS2using optical spectroscopy

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作者
Gerd Plechinger,John Mann,Edwin Preciado,David Barroso,Ariana E. Nguyen,Jonathan Eroms,Christian Schüller,Ludwig Bartels,Tobias Korn
出处
期刊:Semiconductor Science and Technology [IOP Publishing]
卷期号:29 (6): 064008-064008 被引量:98
标识
DOI:10.1088/0268-1242/29/6/064008
摘要

MoS2 is a highly interesting material, which exhibits a crossover from an indirect band gap in the bulk crystal to a direct gap for single layers. Here, we perform a direct comparison between large-area MoS2 films grown by chemical vapor deposition (CVD) and MoS2 flakes prepared by mechanical exfoliation from mineral bulk crystal. Raman spectroscopy measurements show differences between the in-plane and out-of-plane phonon mode positions in CVD-grown and exfoliated MoS2. Photoluminescence (PL) mapping reveals large regions in the CVD-grown films that emit strong PL at room-temperature, and low-temperature PL scans demonstrate a large spectral shift of the A exciton emission as a function of position. Polarization-resolved PL measurements under near-resonant excitation conditions show a strong circular polarization of the PL, corresponding to a valley polarization.

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