反铁电性
形状记忆合金
材料科学
铁电性
领域（数学分析）
凝聚态物理
光电子学
复合材料
物理
数学
电介质
数学分析
作者
Fangping Zhuo,Dragan Damjanović,Qiang Li,Yaming Zhou,Yongjie Ji,Qingfeng Yan,Shujun Zhang,Yun Zhou,Xiangcheng Chu
出处
期刊：Materials horizons
[Royal Society of Chemistry]
日期：2019-01-01
卷期号：6 (8): 1699-1706
被引量：29
摘要
Giant shape memory and domain memory effects may promote the development of new antiferroelectric or ferroelectric devices.
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