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作者
Jeongmin Kim,Hyoung Woo Kim,In-Ho Kang,Jung-Hun Kim,Seokjin Ko,Jinho Bae,Jihyun Kim
摘要
The three-terminal off-state breakdown voltage of the β-Ga 2 O 3 nanoFET with beveled field-plate (FP) was obtained at +441 V, enhanced by downstream plasma-etched 60° h-BN FP structure.
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