Silicon Carbide as a Platform for Power Electronics

碳化硅 数码产品 电力电子 碳化物 材料科学 纳米技术 电气工程 工程类 冶金 电压
作者
Charles R. Eddy,D. Kurt Gaskill
出处
期刊:Science [American Association for the Advancement of Science (AAAS)]
卷期号:324 (5933): 1398-1400 被引量:298
标识
DOI:10.1126/science.1168704
摘要

Methods for growing large, defect-free silicon carbide crystals have enabled the fabrication of devices that can operate at high power.

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