碳化硅
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冶金
电压
作者
Charles R. Eddy,D. Kurt Gaskill
出处
期刊:Science
[American Association for the Advancement of Science (AAAS)]
日期:2009-06-11
卷期号:324 (5933): 1398-1400
被引量:298
标识
DOI:10.1126/science.1168704
摘要
Methods for growing large, defect-free silicon carbide crystals have enabled the fabrication of devices that can operate at high power.
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