Ultra-low NEP and fast response self-powered broadband photodetector based on β-Ga2O3 film grown on Si and GaN substrates

光电探测器 宽带 光电子学 材料科学 光学 物理
作者
Urvashi Varshney,Anuj Sharma,Govind Gupta
出处
期刊:Applied Surface Science [Elsevier]
卷期号:: 162368-162368
标识
DOI:10.1016/j.apsusc.2025.162368
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