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Memristive devices for computing

计算机科学 堆栈(抽象数据类型) 导线 数码产品 纳米技术 过程(计算) 电压 电气工程 材料科学 工程物理 电子工程 工程类 复合材料 程序设计语言 操作系统
作者
J. Joshua Yang,Dmitri B. Strukov,Duncan R. Stewart
出处
期刊:Nature Nanotechnology [Nature Portfolio]
卷期号:8 (1): 13-24 被引量:3447
标识
DOI:10.1038/nnano.2012.240
摘要

Memristive devices are electrical resistance switches that can retain a state of internal resistance based on the history of applied voltage and current. These devices can store and process information, and offer several key performance characteristics that exceed conventional integrated circuit technology. An important class of memristive devices are two-terminal resistance switches based on ionic motion, which are built from a simple conductor/insulator/conductor thin-film stack. These devices were originally conceived in the late 1960s and recent progress has led to fast, low-energy, high-endurance devices that can be scaled down to less than 10 nm and stacked in three dimensions. However, the underlying device mechanisms remain unclear, which is a significant barrier to their widespread application. Here, we review recent progress in the development and understanding of memristive devices. We also examine the performance requirements for computing with memristive devices and detail how the outstanding challenges could be met.
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