High Thermoelectric zT in n‐Type Silver Selenide films at Room Temperature

材料科学 热电效应 功率因数 热电材料 硒化物 溅射沉积 溅射 光电子学 薄膜 热导率 分析化学(期刊) 纳米技术 复合材料 冶金 功率(物理) 热力学 物理 化学 色谱法
作者
J. Pérez,Olga Caballero‐Calero,Liliana Vera‐Londono,F. Briones,Marisol Martín‐González
出处
期刊:Advanced Energy Materials [Wiley]
卷期号:8 (8) 被引量:141
标识
DOI:10.1002/aenm.201702024
摘要

Abstract In this work, a zT value as high as 1.2 at room temperature for n‐type Ag 2 Se films is reported grown by pulsed hybrid reactive magnetron sputtering (PHRMS). PHRMS is a novel technique developed in the lab that allows to grow film of selenides with different compositions in a few minutes with great quality. The improved zT value reported for room temperature results from the combination of the high power factors, similar to the best values reported for bulk Ag 2 Se (2440 ± 192 µW m −1 K −2 ), along with a reduced thermoelectric conductivity as low as 0.64 ± 0.1 W m −1 K −1 . The maximum power factor for these films is of 4655 ± 407 µW m −1 K −2 at 103 °C. This material shows promise to work for room temperature applications. Obtaining high zT or, in other words, high power factor and low thermal conductivity values close to room temperature for thin films is of high importance to develop a new generation of wearable devices based on thermoelectric heat recovery.
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