Wafer‐Scale Transfer of MXene Films with Enhanced Device Performance via 2D Liquid Intercalation

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作者
Xiangming Xu,Simil Thomas,Tianchao Guo,Linqu Luo,Yusuf Khan,Yue Yuan,Youssef A. Elhagrasy,Mario Lanza,Thomas D. Anthopoulos,Osman M. Bakr,Omar F. Mohammed,Husam N. Alshareef
出处
期刊:Advanced Materials [Wiley]
标识
DOI:10.1002/adma.202405214
摘要

Abstract Wafer‐scale transfer processes of 2D materials significantly expand their application space in scalable microelectronic devices with excellent and tunable properties through van der Waals (vdW) stacking. Unlike many 2D materials, wafer‐scale transfer of MXene films for vdW contact engineering has not yet been reported. With their rich surface chemistry and tunable properties, the transfer of MXenes can enable enormous possibilities in electronic devices using interface engineering. Taking advantage of the MXene hydrophilic surface, a straightforward, green, and fast process for the transfer of MXene films at the wafer scale (4‐inch) is developed. Uniform vdW stacking of several types of large‐area heterojunctions including MXene/MXene (Ti 3 C 2 T x , Nb 2 CT x, and V 2 CT x ), MXene/MoS 2 , and MXene/Au is further demonstrated. Multilayer support is applied to minimize damage or deformation in the transfer process of patterned Ti 3 C 2 T x film. It allows us to fabricate thin film transistors and manipulate the MXene/MoS 2 interface through the intercalation of various 2D liquids. Particularly noteworthy is the significant enhancement of the interfacial carrier transfer efficiency by ≈2 orders of magnitude using hydrogen iodide (HI) intercalation. This finding indicates a wide range of possibilities for interface engineering by transferring MXene films and employing liquid‐assisted interfacial intercalation.
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