Wearable Gallium Oxide Solar-Blind Photodetectors on Muscovite Mica Having Ultrahigh Photoresponsivity and Detectivity with Added High-Temperature Functionalities

光电探测器 光电流 材料科学 光电子学 暗电流 响应度 弯曲 光电二极管 噪声等效功率 白云母 光学 物理 复合材料 石英
作者
Bhera Ram Tak,Vinay Gupta,A. K. Kapoor,Ying‐Hao Chu,Rajendra Singh
出处
期刊:ACS applied electronic materials [American Chemical Society]
卷期号:1 (11): 2463-2470 被引量:72
标识
DOI:10.1021/acsaelm.9b00603
摘要

Wearable gallium oxide solar-blind photodetector fabricated on muscovite mica is reported for room-temperature as well as high-temperature operations. The ultrahigh photoresponsivity of 9.7 A/W is obtained for 5 V applied bias at room temperature under 75 μW/cm2 weak illumination of 270 nm wavelength. The detector enables very low noise equivalent power (NEP) of 9 × 10–13 W/Hz1/2 and ultrahigh detectivity of 2 × 1012 jones which shows the magnificent detection sensitivity. Further, bending tests are performed for robust utilization of flexible detectors up to 500 bending cycles with each bending radius of 5 mm. After 500 bending cycles, the device shows a slight photocurrent decrease. The bending performances exhibit excellent potential for wearable applications. Moreover, photocurrent and dark current characteristics above room temperature demonstrate the outstanding functionalities until 523 K temperature, which is remarkable for flexible photodetectors. The obtained results show the potential of gallium oxide solar-blind photodetectors at room-temperature and high-temperature environments, paving the way for futuristic smart and flexible sensors.
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