Stability problems in point contact solar cells

钝化 紫外线 太阳能电池 材料科学 单晶硅 扩散 光电子学 氧化物 紫外线 热稳定性 热的 化学 纳米技术 物理 热力学 图层(电子) 有机化学 冶金
作者
P. E. Gruenbaum,Ronald A. Sinton,R.M. Swanson
标识
DOI:10.1109/pvsc.1988.105736
摘要

Single-crystal silicon point-contact solar cells show a degradation in their efficiency after being exposed to concentrated sunlight. Two mechanisms appear to be responsible: an increase in surface recombination velocity caused by ultraviolet light, possibly due to electron injection from the silicon into the oxide, and a gradual lowering of the effective carrier lifetime that occurs when the cell is under high-level injection for an extended period of time. Point-contact solar cells whose front-side passivation has a phosphorus as well as a thermal oxide diffusion are dramatically more resistant to ultraviolet radiation damage. Modeling results indicate that it is possible to make a point-contact solar cell that is 26.8% efficient after massive ultraviolet exposure.< >
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