Single‐Atom Pt Loaded Zinc Vacancies ZnO–ZnS Induced Type‐V Electron Transport for Efficiency Photocatalytic H2 Evolution

光催化 材料科学 异质结 Atom(片上系统) 催化作用 贵金属 半导体 电子 载流子 纳米颗粒 导带 纳米技术 金属 化学物理 化学 光电子学 冶金 物理 嵌入式系统 量子力学 生物化学 计算机科学
作者
Yujie Liu,Qiaohong Zhu,Muhammad Tayyab,Liang Zhou,Juying Lei,Jinlong Zhang
出处
期刊:Solar RRL [Wiley]
卷期号:5 (11) 被引量:190
标识
DOI:10.1002/solr.202100536
摘要

Semiconductor supported noble metal nanoparticles are widely used in H 2 evolution. Due to the high cost and low catalytic efficiency of noble metals, single‐atom catalysts (SACs) are considered as very potential materials to overcome these shortcomings. Herein, the construction of the ZnO–ZnS heterojunction with an excess amount of Zn vacancies promotes the separation of charge carriers and improves the utilization of electrons. Meanwhile, the zinc vacancies on ZnS provide effective anchor sites for Pt atoms, which is beneficial to obtain highly dispersed single Pt atoms catalyst (ZOS‐SAPt). Due to the formation of an intermediate energy level by zinc vacancies, the introduction of Pt single atoms promotes the novel type‐V electron transport from the conduction band of ZnO to the intermediate energy level and then to the Pt atom. The type‐V electron transport not only retains the high reduction potential of photogenerated electrons, but also avoids the loss of carriers. The resultant ZOS‐SAPt shows outstanding photocatalytic performance for H 2 evolution under simulated sunlight, reaching 9.6 mmol g −1 h −1 , which is 201 times that of ZnO–ZnS. These results provide important information for further development of photocatalysts.
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