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Influence of Oxygen on β-Ga2O3 Films Deposited on Sapphire Substrates by MOCVD

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作者
Tao Zhang,Zhiguo Hu,Yifan Li,Qian Cheng,Jinbang Ma,Xusheng Tian,Chunyong Zhao,Yan Zuo,Qian Feng,Yachao Zhang,Jing Ning,Hong Zhou,Chunfu Zhang,Jincheng Zhang,Yue Hao
出处
期刊:ECS Journal of Solid State Science and Technology [Institute of Physics]
卷期号:10 (7): 075009-075009 被引量:5
标识
DOI:10.1149/2162-8777/ac1652
摘要

In this paper, β-Ga2O3 films were deposited on c-plane sapphire substrates by metal-organic chemical vapor deposition. The impact of oxygen flow rate on crystalline quality, surface morphology, optical transmittance, and growth rate were systematically investigated. X-ray diffraction revealed that β-Ga2O3 films preferentially grew along (−201) crystal plane family when grown on sapphire substrates, and the full-width at half maximum indicated that the crystal quality of β-Ga2O3 film was improved by increasing the oxygen flow rate. The oxygen flow rate greatly influenced the surface morphology and growth rate, and the optical band gaps of β-Ga2O3 films deposited at 1500, 1800, 2100, 2400, 2700, and 3000 sccm were 4.88, 4.99, 4.97, 4.97, 4.93, and 4.68 eV, respectively. The photodetectors made of these β-Ga2O3 films also showed that the photo-dark current ratio gradually increased with the increasing oxygen flow rate at 2100 ∼ 2700 sccm, indicating that the crystalline quality of these β-Ga2O3 films improved.
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