Doped nanocrystals of semiconductors - a new class of luminescent materials

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作者
R. N. Bhargava,D. Gallagher,T. Welker
出处
期刊:Journal of Luminescence [Elsevier]
卷期号:60-61: 275-280 被引量:213
标识
DOI:10.1016/0022-2313(94)90146-5
摘要

We report on the unique luminescent properties of nanocrystals of Mn-doped ZnS with varying sizes from 30 to 70A˚prepared at room temperature. These nanosize quantized particles yield the best external photoluminescent quantum efficiency of about 18% at room temperature and luminescent decay time at least five orders of magnitude faster than the corresponding Mn2+ radiative transition in the bulk crystals. These luminescent measurements also suggest that the efficiency increases with decreasing size of the nanocrystalline particles. These novel properties may be attributed to electron-hole localization and hybridization of the s-p host states with d-electrons of the Mn impurity.
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