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作者
Hendrik Boerma,Tom Kieckhefel,Thanh T. Tran,Patrick Runge,Martin Schell
标识
DOI:10.1364/ofc.2024.tu3d.6
摘要
An InP-based photodetector monolithically integrated with a semiconductor optical amplifier is presented. The chip operates in the O-band and is polarization-independent. Eye pattern measurements at 56 GBaud confirm the lower detection limit of signals with -13 dB optical power compared to a photodetector without preamplification.
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