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Interlayer electronic coupling on demand in a 2D magnetic semiconductor

凝聚态物理 反铁磁性 范德瓦尔斯力 铁磁性 磁性半导体 激子 材料科学 半导体 电子结构 基态 单层 联轴节(管道) 光电子学 物理 纳米技术 原子物理学 量子力学 分子 冶金
作者
Nathan P. Wilson,Kihong Lee,John Cenker,Kaichen Xie,Avalon H. Dismukes,Evan J. Telford,Jordan Fonseca,Shivesh Sivakumar,Cory R. Dean,Ting Cao,Xavier Roy,Xiaodong Xu,Xiaoyang Zhu
出处
期刊:Nature Materials [Nature Portfolio]
卷期号:20 (12): 1657-1662 被引量:238
标识
DOI:10.1038/s41563-021-01070-8
摘要

When monolayers of two-dimensional (2D) materials are stacked into van der Waals structures, interlayer electronic coupling can introduce entirely new properties, as exemplified by recent discoveries of moiré bands that host highly correlated electronic states and quantum dot-like interlayer exciton lattices. Here we show the magnetic control of interlayer electronic coupling, as manifested in tunable excitonic transitions, in an A-type antiferromagnetic 2D semiconductor CrSBr. Excitonic transitions in bilayers and above can be drastically changed when the magnetic order is switched from the layered antiferromagnetic ground state to a field-induced ferromagnetic state, an effect attributed to the spin-allowed interlayer hybridization of electron and hole orbitals in the latter, as revealed by Green’s function–Bethe–Salpeter equation (GW-BSE) calculations. Our work uncovers a magnetic approach to engineer electronic and excitonic effects in layered magnetic semiconductors. Interlayer hybridization in 2D van der Waals materials can change their properties. Here, it is shown that the coupling in CrSBr can be changed from switching the magnetic order from antiferromagnetic to ferromagnetic states.
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