Nanoimprint Lithography Materials Development for Semiconductor Device Fabrication

纳米压印光刻 材料科学 制作 平版印刷术 纳米技术 压花 抵抗 光刻 造型(装饰) 下一代光刻 纳米光刻 光电子学 电子束光刻 复合材料 医学 替代医学 病理 图层(电子)
作者
Elizabeth A. Costner,Michael W. Lin,Wei-Lun Jen,C. Grant Willson
出处
期刊:Annual Review of Materials Research [Annual Reviews]
卷期号:39 (1): 155-180 被引量:140
标识
DOI:10.1146/annurev-matsci-082908-145336
摘要

The term nanoimprint lithography (NIL) describes a number of processes used to form nanoscale structures by molding or embossing. Step and flash imprint lithography (S-FIL, a trademark of Molecular Imprints, Inc.) is a variant of NIL that can be performed at room temperature and low pressure. In S-FIL, a low-viscosity liquid imprint material is hardened in a patterned template by exposure to UV light. S-FIL is ideally suited to integrated-circuit device fabrication. Materials development for S-FIL has progressed significantly since its introduction in 1999. We discuss the status of materials development, with specific emphasis on the imprint material and functional materials, template fabrication and release layers, and S-FIL process variations.
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