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作者
Resta A. Susilo,Yu Liu,H. W. Sheng,Hongliang Dong,Raimundas Sereika,Bongjae Kim,Zhixiang Hu,Shujia Li,Mingzhi Yuan,C. Petrović,Bin Chen
摘要
A highly tunable band gap of the layered semiconductor Zn 3 In 2 S 6 under pressure is reported. The change in the band gap is strongly coupled to the variation and transformation of the crystal structure.
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