Dual Polarized FOWLP AiP for 5G Base Station Applications

回波损耗 炸薯条 材料科学 带宽(计算) 宽带 散热器(发动机冷却) 电气工程 光电子学 光学 电子工程 物理 天线(收音机) 工程类 电信
作者
Mei Sun,Lim Teck Guan
标识
DOI:10.1109/eptc53413.2021.9663942
摘要

This paper presents Fan-Out Wafer-Level-Packaging (FOWLP) based dual polarized Antenna-in-Package (AiP) array for 5 G base station applications. The AiP features the double molding chip facing up configuration with the heat sink to cater for high power applications. The AiP 2 × 2 array design and its method of forming scalable array are illustrated. The AiP element features meta-surface radiator and two sets of orthogonally arranged power divider aperture feeds to achieve the wideband performance and pure dual polarizations. With a size of 6.75 mm × 6.75 mm × 0.742 mm it shows a Return Loss >15 dB, an Isolation >20 dB, a Gain of 5.68-6.6dBi over the 24.25-27.5 GHz as well as pure dual polarized patterns; when integrated with chip by bond wires the AiP element keeps Isolation and pattern performance and has a Return Loss >11.5 dB and Gain of 5.38-6.5dBi over the same bandwidth.

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