材料科学
光电子学
分离（微生物学）
断层（地质）
氧化物
砷化镓
电子工程
工程类
地质学
冶金
生物
微生物学
地震学
作者
Kuang-Tse Ho,Ching‐Hsiang Chan
出处
期刊：Proceedings
日期：2020-12-01
标识
DOI：10.31399/asm.cp.istfa2020p0317
摘要
Abstract This research summarizes a variety of physical failure modes of GaAs-based oxide-confined VCSELs and their root causes. Standard failure analysis procedure, which includes defect fault isolation by PEM or IR-OBIRCH and physical inspection by TEM analysis are also presented in detail.
科研通智能强力驱动
Strongly Powered by AbleSci AI
寻道图强
sirius
Singularity
嗯哼
Frank
远方
tuanheqi
坚强的广山
Diplogen
银色的喵咪
淡淡煎蛋
cc
morena
NPC
愉快的真
Lucas
颜哈哈
传奇3
甜甜穆
lxb
皖公网安备34019202002308
