Characterization technique for inhomogeneous 4H-SiC Schottky contacts: A practical model for high temperature behavior

热离子发射 肖特基势垒 材料科学 肖特基二极管 碳化硅 金属半导体结 表征(材料科学) 光电子学 半导体 宽禁带半导体 计算物理学 凝聚态物理 二极管 复合材料 纳米技术 物理 量子力学 电子
作者
Gheorghe Brezeanu,Gheorghe Pristavu,Florin Drăghici,M. Bădilă,Razvan Pascu
出处
期刊:Journal of Applied Physics [American Institute of Physics]
卷期号:122 (8) 被引量:30
标识
DOI:10.1063/1.4999296
摘要

In this paper, a characterization technique for 4H-SiC Schottky diodes with varying levels of metal-semiconductor contact inhomogeneity is proposed. A macro-model, suitable for high-temperature evaluation of SiC Schottky contacts, with discrete barrier height non-uniformity, is introduced in order to determine the temperature interval and bias domain where electrical behavior of the devices can be described by the thermionic emission theory (has a quasi-ideal performance). A minimal set of parameters, the effective barrier height and peff, the non-uniformity factor, is associated. Model-extracted parameters are discussed in comparison with literature-reported results based on existing inhomogeneity approaches, in terms of complexity and physical relevance. Special consideration was given to models based on a Gaussian distribution of barrier heights on the contact surface. The proposed methodology is validated by electrical characterization of nickel silicide Schottky contacts on silicon carbide (4H–SiC), where a discrete barrier distribution can be considered. The same method is applied to inhomogeneous Pt/4H–SiC contacts. The forward characteristics measured at different temperatures are accurately reproduced using this inhomogeneous barrier model. A quasi-ideal behavior is identified for intervals spanning 200 °C for all measured Schottky samples, with Ni and Pt contact metals. A predictable exponential current-voltage variation over at least 2 orders of magnitude is also proven, with a stable barrier height and effective area for temperatures up to 400 °C. This application-oriented characterization technique is confirmed by using model parameters to fit a SiC-Schottky high temperature sensor's response.
最长约 10秒,即可获得该文献文件

科研通智能强力驱动
Strongly Powered by AbleSci AI
科研通是完全免费的文献互助平台,具备全网最快的应助速度,最高的求助完成率。 对每一个文献求助,科研通都将尽心尽力,给求助人一个满意的交代。
实时播报
刚刚
科研通AI5应助优秀的灵安采纳,获得10
刚刚
小尤完成签到,获得积分10
刚刚
刚刚
DDL发布了新的文献求助10
刚刚
欢呼的世立完成签到 ,获得积分10
刚刚
大模型应助忘久采纳,获得10
1秒前
执着易绿发布了新的文献求助30
1秒前
岂识浊醪妙理完成签到,获得积分10
1秒前
2秒前
织诗成锦发布了新的文献求助30
2秒前
科研通AI5应助江伊采纳,获得10
2秒前
充电宝应助gxj采纳,获得10
2秒前
爱你发布了新的文献求助10
2秒前
2秒前
如果完成签到,获得积分10
3秒前
3秒前
cctv18应助过昭关采纳,获得10
3秒前
3秒前
4秒前
4秒前
lalala发布了新的文献求助10
5秒前
5秒前
2023AKY完成签到,获得积分10
6秒前
DDL完成签到,获得积分10
7秒前
慕青应助沉默的晓旋采纳,获得10
7秒前
所所应助可爱的飞瑶采纳,获得10
8秒前
9秒前
Dream_fai发布了新的文献求助10
9秒前
吃饭了完成签到,获得积分10
10秒前
星星完成签到 ,获得积分10
10秒前
落后尔白完成签到,获得积分10
10秒前
10秒前
10秒前
麻黄汤中用桂枝完成签到 ,获得积分10
11秒前
11秒前
11秒前
小精灵发布了新的文献求助10
12秒前
12秒前
111发布了新的文献求助10
12秒前
高分求助中
【此为提示信息,请勿应助】请按要求发布求助,避免被关 20000
Production Logging: Theoretical and Interpretive Elements 3000
CRC Handbook of Chemistry and Physics 104th edition 1000
Density Functional Theory: A Practical Introduction, 2nd Edition 840
J'AI COMBATTU POUR MAO // ANNA WANG 660
Izeltabart tapatansine - AdisInsight 600
Gay and Lesbian Asia 500
热门求助领域 (近24小时)
化学 材料科学 医学 生物 工程类 有机化学 物理 生物化学 纳米技术 计算机科学 化学工程 内科学 复合材料 物理化学 电极 遗传学 量子力学 基因 冶金 催化作用
热门帖子
关注 科研通微信公众号,转发送积分 3756235
求助须知:如何正确求助?哪些是违规求助? 3299479
关于积分的说明 10110271
捐赠科研通 3013987
什么是DOI,文献DOI怎么找? 1655375
邀请新用户注册赠送积分活动 789739
科研通“疑难数据库(出版商)”最低求助积分说明 753429