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Monolayer AgBiP2Se6: an atomically thin ferroelectric semiconductor with out-plane polarization

单层 铁电性 材料科学 极化(电化学) 半导体 凝聚态物理 反平行(数学) 纳米尺度 光电子学 纳米技术 电介质 磁场 化学 物理 量子力学 物理化学
作者
Bo Xu,Hui Xiang,Yidong Xia,Kun Jiang,Xiangang Wan,Jun He,Jiang Yin,Zhiguo Liu
出处
期刊:Nanoscale [Royal Society of Chemistry]
卷期号:9 (24): 8427-8434 被引量:111
标识
DOI:10.1039/c7nr02461d
摘要

Using first-principles calculations, we designed a two-dimensional material, monolayer AgBiP2Se6, with the thickness of only 6 Å, which exhibited out-plane ferroelectricity. The ground state of the monolayer AgBiP2Se6 was not purely ferroelectric since the out-plane ferroelectricity originated from the compensated ferrielectric state: the off-centering antiparallel displacements of Ag+ and Bi3+ ions. The compensated ferrielectric ordering has superiority on reducing the depolarization field to stabilize the ferroelectricity. Furthermore, together with strong visible-light adsorption and suitable band edge alignments, we proposed the monolayer AgBiP2Se6 as a visible-light photocatalyst for water-splitting as the out-plane polarization could enhance the electron-hole separation. Our results offer a new way to overcome the critical thickness limitation of nanoscale ferroelectrics. The out-plane ferroelectricity in monolayer AgBiP2Se6 has great potential for developing various devices with desirable applications.
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