Organic electrical bistable devices and rewritable memory cells

非易失性存储器 电阻随机存取存储器 切换时间 晶体管
作者
Lu Ma,Jian Liu,Yang Yang
出处
期刊:Applied Physics Letters [American Institute of Physics]
卷期号:80 (16): 2997-2999 被引量:439
标识
DOI:10.1063/1.1473234
摘要

Electrical bistability is a phenomenon in which a device exhibits two states of different conductivities, at the same applied voltage. We report an organic electrical bistable device (OBD) comprising of a thin metal layer embedded within the organic material, as the active medium [L. P. Ma, J. Liu, and Y. Yang, US Patent Pending, (2001)]. The performance of this device makes it attractive for memory-cell type of applications. The two states of the OBD differ in their conductivity by several orders in magnitude and show remarkable stability, i.e., once the device reaches either state, it tends to remain in that state for a prolonged period of time. More importantly, the high and low conductivity states of an OBD can be precisely controlled by the application of a positive voltage pulse (to write) or a negative voltage pulse (to erase), respectively. One million writing-erasing cycles for the OBD have been tested in ambient conditions without significant device degradation. These discoveries pave the way for newer applications, such as low-cost, large-area, flexible, high-density, electrically addressable data storage devices.
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