Investigation the effect of dopant Te on CdSe thin films deposited by RF magnetron sputtering method

材料科学 薄膜 掺杂剂 溅射沉积 兴奋剂 溅射 带隙 光电子学 分析化学(期刊) 纳米技术 冶金 化学 色谱法
作者
Devendra Kumar,Chiranji Lal,Dharm Veer,Deshraj Singh,Pawan Kumar,Ram S. Katiyar
出处
期刊:Physica Scripta [IOP Publishing]
卷期号:98 (5): 055930-055930 被引量:2
标识
DOI:10.1088/1402-4896/accabc
摘要

Abstract CdSe and CdSe:Te thin films were grown on glass substrates by RF magnetron sputtering. The doping percentage of Tellurium (Te) in CdSe was 7% for the CdSe:Te thin film. The microscopic images of the films were found to be uniform and homogeneous in nature with a uniform grain and no cracks, and the grain size of CdSe was higher than CdSe:Te thin film. CdSe:Te thin film shows a higher absorption coefficient compared to CdSe in the visible region. The Energy band gaps were found to be 2.01 and 1.73 eV for CdSe and CdSe:Te thin films, respectively. The incorporation of Te atom into the CdSe structure has enhanced the mobility and changed the type of conductivity from n-type to p-type.
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