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作者
Fengnian Xia,Thomas Mueller,Yu-Ming Lin,Phaedon Avouris
出处
期刊:Conference on Lasers and Electro-Optics
日期:2010-01-01
卷期号:306: CMV1-CMV1
被引量:6
标识
DOI:10.1364/cleo.2010.cmv1
摘要
We demonstrate ultrafast transistor-based photodetectors made from single- and few-layer graphene. The photoresponse does not degrade for optical intensity modulations up to 40 GHz, and further analysis suggests that the intrinsic bandwidth may exceed 500 GHz.
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