Design optimization of bifacial HIT solar cells on p-type silicon substrates by simulation

太阳能电池 材料科学 光电子学 图层(电子) 聚合物太阳能电池 光伏系统 异质结 纳米技术 电气工程 工程类
作者
Lei Zhao,Chen Zhou,H.L. Li,Hongwei Diao,W.J. Wang
出处
期刊:Solar Energy Materials and Solar Cells [Elsevier]
卷期号:92 (6): 673-681 被引量:112
标识
DOI:10.1016/j.solmat.2008.01.018
摘要

Heterojunction with intrinsic thin layer (HIT) solar cells fabricated on p-type silicon substrates usually demonstrate inferior performance than those formed on n-type substrates. The influence of various structure parameters on the performance of the c-Si(p)-based bifacial HIT solar cell, i.e., the TCO/a-Si:H(n)/a-Si:H(i)/c-Si(p)/a-Si:H(i)/a-Si:H(p+)/TCO solar cell, was investigated in detail by computer simulation using the AFORS-HET software. The work function of the transparent conductive oxide was found to be a key factor to affect the solar cell performance. Detailed influence mechanisms were analysed. Accordingly, the design optimization of the bifacial HIT solar cells on c-Si(p) substrates was provided.
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