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作者
Arman Rashidi,Morteza Monavarian,Andrew Aragon,Serdal Okur,Mohsen Nami,Ashwin K. Rishinaramangalam,Saadat Mishkat‐Ul‐Masabih,Daniel Feezell
出处
期刊：Conference on Lasers and Electro-Optics
日期：2017-01-01
卷期号：: STh1C.7-STh1C.7
标识
DOI：10.1364/cleo_si.2017.sth1c.7
摘要
High-speed nonpolar InGaN/GaN LEDs on free-standing GaN substrates with a peak emission wavelength between 455-465 nm were fabricated. A large frequency modulation bandwidth of 524 MHz and an output power of 1.5 mW are obtained.
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