Solution–Liquid–Solid Growth of Semiconductor Quantum-Wire Films

材料科学 量子阱 量子点 薄膜 纳米颗粒 半导体 纳米技术 光电子学 化学工程 光学 冶金 物理 工程类 激光器
作者
Fudong Wang,Virginia L. Wayman,Richard A. Loomis,William E. Buhro
出处
期刊:ACS Nano [American Chemical Society]
卷期号:5 (6): 5188-5194 被引量:30
标识
DOI:10.1021/nn201336z
摘要

We report the growth of cadmium-selenide (CdSe) quantum-wire (QW) films on a variety of substrates by the solution–liquid–solid (SLS) method. Our SLS syntheses employ size-controlled, near-monodisperse bismuth (Bi) nanoparticles (NPs) as the catalysts for QW growth, which offers several advantages over Bi NPs thermally generated from thin Bi films, including mean QW diameter control, narrow diameter distributions, small diameters in the quantum-confinement regime, and control of the QW density on the substrates. The Bi NPs are deposited on the substrates via drop casting of a Bi-NP solution and subsequently annealed in a reducing atmosphere, a key step to ensure firm attachment of the Bi NPs onto the substrates and maintenance of their catalytic activity for the QW-film growth. The QW growth density is proportional to the Bi-NP coating density, which is determined by the concentration of the Bi-NP deposition solution. Lower concentrations are used for small Bi NPs to reduce their high tendency for agglomeration and to achieve control over mean QW diameter and to produce narrow diameter distributions. Spectroscopic evidence of quantum confinement is provided. Related films of InP, InAs, and PbSe QWs are also described.

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