Nonvolatile Ferroelectric Memory Effect in Ultrathin α‐In2Se3

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作者
Siyuan Wan,Yue Li,Wei Li,Xiaoyu Mao,Chen Wang,Chen Chen,Jiyu Dong,Anmin Nie,Jianyong Xiang,Zhongyuan Liu,Wenguang Zhu,Hualing Zeng
出处
期刊:Advanced Functional Materials [Wiley]
卷期号:29 (20) 被引量:177
标识
DOI:10.1002/adfm.201808606
摘要

Abstract High‐density memory is integral in solid‐state electronics. 2D ferroelectrics offer a new platform for developing ultrathin electronic devices with nonvolatile functionality. Recent experiments on layered α‐In 2 Se 3 confirm its room‐temperature out‐of‐plane ferroelectricity under ambient conditions. Here, a nonvolatile memory effect in a hybrid 2D ferroelectric field‐effect transistor (FeFET) made of ultrathin α‐In 2 Se 3 and graphene is demonstrated. The resistance of the graphene channel in the FeFET is effectively controllable and retentive due to the electrostatic doping, which stems from the electric polarization of the ferroelectric α‐In 2 Se 3 . The electronic logic bit can be represented and stored with different orientations of electric dipoles in the top‐gate ferroelectric. The 2D FeFET can be randomly rewritten over more than 10 5 cycles without losing the nonvolatility. The approach demonstrates a prototype of rewritable nonvolatile memory with ferroelectricity in van der Waals 2D materials.
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