雪崩光电二极管
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作者
Yuan Yuan,Daehwan Jung,Keye Sun,Jiyuan Zheng,Andrew H. Jones,John E. Bowers,Joe C. Campbell
出处
期刊:Optics Letters
[The Optical Society]
日期:2019-07-10
卷期号:44 (14): 3538-3538
被引量:20
摘要
We demonstrate a III-V avalanche photodiode (APD) grown by heteroepitaxy on silicon. This InGaAs/InAlAs APD exhibits low dark current, gain >20, external quantum efficiency >40%, and similar low excess noise, k∼0.2, as InAlAs APDs on InP.
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