Impact of PECVD SiON stoichiometry and post-annealing on the silicon surface passivation

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作者
J. Dupuis,Erwann Fourmond,J.‐F. Lelièvre,D. Ballutaud,M. Lemiti
出处
期刊:Thin Solid Films [Elsevier]
卷期号:516 (20): 6954-6958 被引量:60
标识
DOI:10.1016/j.tsf.2007.12.026
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