Giant Domain Wall Anomalous Hall Effect in a Layered Antiferromagnet EuAl2Si2

霍尔效应 Berry连接和曲率 磁化 散射 物理 反铁磁性 自旋(空气动力学) 磁场 凝聚态物理 量子力学 几何相位 热力学
作者
Wei Xia,Bofeng Bai,Xuejiao Chen,Yichen Yang,Yang Zhang,Jian Yuan,Qiang Li,Kunya Yang,Xiangqi Liu,Yang Shi,Haiyang Ma,Huali Yang,Mingquan He,Lei Li,Chuanying Xi,Li Pi,Xiaodong Lv,Xia Wang,Xuerong Liu,Shiyan Li
出处
期刊:Physical Review Letters [American Physical Society]
卷期号:133 (21): 216602-216602 被引量:4
标识
DOI:10.1103/physrevlett.133.216602
摘要

Generally, the dissipationless Hall effect in solids requires time-reversal symmetry breaking (TRSB), where TRSB induced by external magnetic field results in the ordinary Hall effect, while TRSB caused by spontaneous magnetization gives rise to the anomalous Hall effect (AHE) which scales with the net magnetization. The AHE is therefore not expected in antiferromagnets with vanishing small magnetization. However, large AHE was recently observed in certain antiferromagnets with noncollinear spin structure and nonvanishing Berry curvature. Here, we report another origin of AHE in a layered antiferromagnet EuAl_{2}Si_{2}, namely, the domain wall (DW) skew scattering with Weyl points near the Fermi level, in experiments for the first time. Interestingly, the DWs form a unique periodic stripe structure with controllable periodicity by external magnetic field, which decreases nearly monotonically from 975 nm at 0 T to 232 nm at 4 T. Electrons incident on DW with topological bound states experience strong asymmetric scattering, leading to a giant AHE, with the DW Hall conductivity (DWHC) at 2 K and 1.2 T reaching a record value of ∼1.51×10^{4} Scm^{-1} among bulk systems and being 2 orders of magnitude larger than the intrinsic anomalous Hall conductivity. The observation not only sets a new paradigm for exploration of large anomalous Hall effect, but also provides potential applications in spintronic devices.
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