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Growth and characterization of Fe-doped Pb(Zn1/3Nb2/3)O3−PbTiO3 single crystals

材料科学 电致伸缩 四方晶系 居里温度 压电 电介质 电场 极化 介电常数 矫顽力 兴奋剂 分析化学(期刊) 压电系数 凝聚态物理 机电耦合系数 铁电性 核磁共振 结晶学 晶体结构 复合材料 化学 光电子学 铁磁性 物理 量子力学 色谱法
作者
Shujun Zhang,Laurent Lebrun,Dae‐Yong Jeong,Clive A. Randall,Qiming Zhang,Thomas R. Shrout
出处
期刊:Journal of Applied Physics [American Institute of Physics]
卷期号:93 (11): 9257-9262 被引量:74
标识
DOI:10.1063/1.1571966
摘要

Fe-doped 0.955Pb(Zn1/3Nb2/3)O3−0.045PbTiO3 (PZNT4.5) single crystals were grown using a high temperature flux technique and the dielectric, piezoelectric, electromechanical, electrostrictive, and electro-optic properties were characterized. The room temperature dielectric permittivity along the <001> direction after poling was about ∼6000 (5000−7000), increased compared to that of pure PZNT4.5 crystals ∼3000−5000. The Curie temperature (TC) and the rhombohedral to tetragonal phase transition temperature (Tr−t) of doped crystals were about 143 and 92 °C, respectively, more than 20 °C lower than that of the pure crystals. The remnant polarization (Pr) and coercive field (Ec) of <001> oriented doped crystals measured at 1 Hz and 20 kV/cm field were ∼27.3 μC/cm2 and 4.7 kV/cm, respectively, the latter significantly greater than the Ec of the pure crystals ∼3 kV/cm. Piezoelectric coefficients (d33) of <001> oriented doped PZNT4.5 crystals were ∼2500−3000 pC/N, being much higher than that of the pure (1400–2000 pC/N). The electric field induced strain was up to 0.5% with minimal hysteresis at low electric field (E∼15 kV/cm). The longitudinal electromechanical coupling factor k33 was 92%–93%. The shear mode and lateral mode properties were also studied with piezoelectric coefficient d15 of ∼3500 pC/N, d31 of ∼−1800 pC/N, and electromechanical coupling of k15∼93%, k31∼87%, respectively. The electrostrictive coefficients of Fe-doped PZNT4.5 crystals, Q11∼0.099 m4/C2, Q12∼−0.048 m4/C2, Q44∼0.012 m4/C2, and Qh∼0.0033 m4/C2 were calculated and compared to those of PZNT4.5 crystals. The apparent electro-optic coefficients of doped crystals were measured to be r33*∼118 pm/V and r13*∼29 pm/V, respectively.
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